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一.電容器的歸類
依照構(gòu)造分三大類:固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。
按電解質(zhì)歸類有:有機物質(zhì)電容器、無機物質(zhì)電容器、電解電容器和空氣物質(zhì)電容器等。
按用途分為:高頻旁通、低頻旁通、過濾、調(diào)諧、高頻藕合、低頻藕合、小型電容器。
高頻旁通:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。
低頻旁通:紙介電容器、陶瓷電容器、TDK電容代理深圳智成電子、鋁電解電容器、滌綸電容器。
過濾:鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液態(tài)鉭電容器。
調(diào)諧:陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚乙烯電容器。
高頻藕合:陶瓷電容器、云母電容器、聚乙烯電容器。
低頻藕合:紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固態(tài)鉭電容器。
小型電容:金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚乙烯電容器、固態(tài)鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬化滌綸電容器、聚丙稀電容器、云母電容器。
二、常見電容器
1、鋁電解電容器
用浸有粘稠電解質(zhì)的吸水紙夾在兩條鋁鉑中間纏繞成的,薄的化氧化膜作介質(zhì)電容器.由于氧化膜有單向?qū)щ娦再|(zhì),因此電解電容器具備極性.容量大,能承受大的脈動電流容積偏差大,漏電流大;一般的不適于在高頻和低溫下運用,不宜使用在25kHz以上頻率低頻旁通、信號藕合、電源濾波
2、鉭電解電容器
用煅燒的鉭塊作正級,電解質(zhì)使用固態(tài)二氧化錳溫度特性、頻率特點和可*性均優(yōu)于一般電解電容器,尤其是漏電流很小,貯存性良好,壽命長,容積偏差小,并且體型小,單位體積下能得到最大的電容電壓相乘對脈動電流的承受能力差,若毀壞易呈短路狀態(tài)。
3、薄膜電容器
結(jié)構(gòu)和紙版電容器類似,但用聚酯、聚乙烯等低損耗塑材作物質(zhì)頻率特點好,介電損耗小不能制成大的容積,耐熱能力差過濾器、積分、震蕩、按時電路
4、瓷介電容器
穿心式或支撐式結(jié)構(gòu)瓷介電容器,它一個電級便是安裝螺釘。導(dǎo)線電感很小,頻率特點好,介電損耗小,有溫度補償作用不能制成大的容積,受震動會引起容積轉(zhuǎn)變特別適于高頻旁通
5、獨石電容器
(雙層陶瓷電容器)在若干片瓷器薄膜坯上被覆以電級槳材料,TDK電容代理深圳智成電子告訴你疊合后一次繞結(jié)為一塊不可分割的總體,外邊再用樹脂包裹而成小體積、大空間、高可*和耐熱的新式電容器,高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具備平穩(wěn)性能,體積很小,Q值高容偏差較大噪音旁通、過濾器、積分、諧振電路
6、紙質(zhì)介電容器
一般是用兩條鋁鉑做為電級,中間以厚度0.008~0.012mm的電容器紙分隔重合纏繞成的。加工工藝簡易,價格便宜,能得到較大的容量一般在低頻電路內(nèi),一般不能在高過3~4MHz的次數(shù)上應(yīng)用。油浸電容器的抗壓比一般紙版電容器高,穩(wěn)定性也罷,適用于高壓電路
7、微調(diào)電容器
容量可在某一小范圍內(nèi)調(diào)節(jié),并可在調(diào)整后固定于某個電容值。瓷介微調(diào)電容器的Q偏高,體積也小,一般可分為圓管式及圓片式兩種。
8、云母和聚乙烯介質(zhì)一般都選用彈簧式東,結(jié)構(gòu)緊湊,但穩(wěn)定性較差。
線繞瓷介微調(diào)電容器是拆銅線〈外電級〉來變化容量的,故容積只能縮小,不適合在需反復(fù)調(diào)節(jié)的場所應(yīng)用
9、陶瓷電容器
用高介電常數(shù)的電容器瓷器〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或園盤做為物質(zhì),并用燒滲法將銀鍍在瓷器上做為電級制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
具備小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高平穩(wěn)振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在輸出功率較低的回路中作旁通或隔直流用,或?qū)煽啃院拖囊蟛桓叩膱鏊窗哳l以內(nèi)〉。這類電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它便于被脈沖電壓擊穿。高頻瓷介電容器適用于高頻電路
云母電容器就構(gòu)造來講,可分為箔片式及被銀式。TDK電容代理深圳智成電子提醒您被銀式電級為直接從云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鑲上銀層成的,因為規(guī)避了空氣間隙,溫度系數(shù)大幅降低,電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特點好,Q偏高,溫度系數(shù)小不能制成大的容積廣泛運用在高頻電器中,并可用作規(guī)范電容器
10、玻璃釉電容器由一種濃度適于噴漆的獨特混合物噴漆成薄膜成的,物質(zhì)再用銀層電級經(jīng)煅燒成的”獨石”構(gòu)造特性能與云母電容器匹敵,能承受各種氣候環(huán)境,一般可在200℃或更高條件下工作,額定工作電壓可達500V,消耗tgδ0.0005~0.008。
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